作者：毋正伟,陈德勇,夏善红 单位：中国电子科技集团公司第十三研究所 出版：《微纳电子技术》2010年第10期 页数：5页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFBDTQ2010100080 DOC编号：DOCBDTQ2010100089 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
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    • 在采用Si-玻璃阳极键合技术制备微惯性传感器的过程中，实验发现键合圆片中心区域键合失效。通过对键合机理和工艺过程进行分析，认为湿法腐蚀工艺引入钾离子(K+)污染是造成键合失效的主要原因，也可以对键合失效现象给出合理的解释。改变工艺参数进行了键合对比实验，结果表明，未受K+污染的键合圆片没有发生键合失效现象。提出了解决键合失效问题的两种方案，并首次提出在Si片表面生长氧化层提高失效区键合强度的方法；从理论上分析了增加SiO2介质层的可行性。强度测试结果表明，在SiO2厚度为150nm时，键合剪切强度达到14MPa，验证了方案的可靠性。利用上述方法制备出微加速度传感器敏感结构。

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