作者：孙再吉 单位：中国电子科技集团公司第五十五研究所 出版：《》 页数：2页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFBDXX2010020180 DOC编号：DOCBDXX2010020189 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑

    • 据《NKKEI MicroDevices》2009年第11期报道，日本Elpida存储器公司采用TSV工艺开发了8层叠装的IG DRAM芯片。电极材料由多晶硅改为低阻抗Cu，降低了功耗。该公司已开发出将微处理器、闪存、RF电路、MEMS传感器等

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