作者：张瑞,梁庭,熊继军,刘雨涛,王涛龙,王心心 单位：中国微米纳米技术学会;东南大学 出版：《传感技术学报》2015年第08期 页数：6页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFCGJS2015080050 DOC编号：DOCCGJS2015080059 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
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    • 对传统的SOI压阻式压力传感器进行了结构优化。目的是提高灵敏度，以满足在高温环境下大量程压力测量的实际需求。通过力学性能模拟，采用浅凸台结构来提高灵敏度和测量范围。分析并模拟了凸台厚度和形状对灵敏度的影响。得到了适合高温工作的掺杂浓度，压敏电阻的尺寸，金属引线的材料和布局。电阻放置在(σl-σt)最大的区域以保持灵敏度和线性度。采用U形电阻补偿在浅凸台制作过程中的工艺偏差对灵敏度的影响。有限元分析(FEA)表明，优化后的芯片结构可以测量10 MPa范围内的压力，灵敏度高达86.6 m V/(V&#183；MPa)，非线性误差在0.1%以下。和其他文献报道的大量程压力传感器相比，浅凸台芯片结构灵敏度和过载能力优异。

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