作者：许高斌,汪祖民,陈兴 单位：中国电子学会 出版：《电子测量与仪器学报》2010年第06期 页数：8页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFDZIY2010060110 DOC编号：DOCDZIY2010060119 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
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    • 基于SOI技术，利用ICP体硅深加工，设计分析了一种新型平面内振动高g值压阻式加速度计。该加速度计包括X轴向与Y轴向单元，采用三梁-扇形质量块平板内振动结构。对称的布局方式，有效的消除了灵敏度的交叉干扰，提高了传感器的测量精度。论文建立了理论模型，并利用ANSYS软件对传感器进行模拟分析与验证，理论与模拟分析结论吻合较好。分析表明，加速度计在X轴向和Y轴向灵敏度分别为1.2μv/g和1.18μv/g；谐振频率分别为479kHz和475kHz。可实现对量程高达25万g加速度的测量。

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