作者：汪波,李豫东,郭旗,文林,孙静,王帆,张兴尧,玛丽娅 单位：中国工程物理研究院;中国核学会;四川省核学会 出版：《强激光与粒子束》2015年第09期 页数：5页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFQJGY2015090370 DOC编号：DOCQJGY2015090379 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑

    • 为研究空间高能粒子位移损伤效应引起的星用CMOS图像传感器性能退化，对国产CMOS有源像素传感器进行了中子辐照试验，当辐射注量达到预定注量点时，采用离线的测试方法，定量测试了器件的暗信号、暗信号非均匀性、饱和输出电压、像素单元输出电压等参数的变化规律。通过对CMOS图像传感器敏感参数退化规律及其与器件工艺、结构的相关性进行分析，并根据半导体器件辐射效应理论，深入研究了器件参数退化机理。试验结果表明，暗信号和暗信号非均匀性随着中子辐照注量的增大而显著增大，饱和输出电压基本保持不变。暗信号的退化是因为位移效应在体硅内引入大量体缺陷增加了耗尽区内热载流子产生率，暗信号非均匀性的退化主要来自于器件受中子辐照后在像素与像素之间产生了大量非均匀性的体缺陷能级。另外，还在样品芯片上引出了独立的像素单元测试管脚，测试了不同积分时间下像素单元输出信号。

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