作者:武利翻 单位:中国技术经济学会 出版:《科学技术与工程》2010年第27期 页数:4页  (PDF与DOC格式可能不同) PDF编号:PDFKXJS2010270100 DOC编号:DOCKXJS2010270109 下载格式:PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
《电子快门与CCD图像传感器抗晕的研究》PDF+DOC2010年第08期 武利翻 《CCD图像传感器抗晕技术研究》PDF+DOC2010年第08期 武利翻 《TDI图像传感器横向抗晕栅极电压与满阱容量关系研究》PDF+DOC2020年第02期 曲杨,王欣洋,周泉,常玉春 《CCD图像传感技术的现状与应用前景》PDF+DOC1996年第05期 王跃科,杨华勇,吕海宝,颜树华,黄锐,周卫红,李鹏 《线阵CCD图象传感器的原理与应用》PDF+DOC1993年第03期 王景存,徐国海,胡文江 《38万个像素的CCD图像传感器》PDF+DOC1986年第01期 徐振华 《强光致CCD过饱和效应机理分析》PDF+DOC2010年第02期 张震,程湘爱,姜宗福 《基于Max+plusⅡ编写CCD的驱动电路》PDF+DOC 王铁城,齐龙 《CCD抗晕结构的设计和制作》PDF+DOC2011年第03期 钟四成,程顺昌,王晓强 《CCD图像传感器的现状及未来发展》PDF+DOC2010年第06期 胡琳
  • 分析和讨论了CCD抗晕结构,并建立了CCD纵向抗晕结构模型。运用半导体器件数值模拟软件MEDICI,对建立的纵向抗晕CCD器件模拟结构进行数值计算,并详细分析和讨论了衬底反偏电压。1PW层硼掺杂浓度、N型沟道磷掺杂浓度和TG转移栅下P杂质掺杂浓度参数对CCD纵向抗晕能力的影响,并得到了CCD纵向抗晕结构的一种优化结构。

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