《用于气体传感器的多孔硅的制备方法研究》PDF+DOC
作者:张皓,张成立
单位:中国科学院化学研究所;中国化学会
出版:《》
页数:5页 (PDF与DOC格式可能不同)
PDF编号:PDFHXTB2010060170
DOC编号:DOCHXTB2010060179
下载格式:PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
《纳米多孔硅可控制备研究》PDF+DOC2014年第12期 许高斌,卢翌,陈兴,马渊明
《基于法布里-珀罗效应的纳米有序多孔硅光学传感器研究》PDF+DOC2016年第04期 马文锋,胡明,袁琳,李昌青,魏玉龙
《氧化钨纳米线修饰多孔硅结构的制备及NO_2气敏性能研究》PDF+DOC2019年第02期 胡明,秦岳,赵博硕,强晓永,周立伟
《结合LAPS及纳米多孔硅的气体传感器研究》PDF+DOC2006年第05期 宗小林,蔡华,余辉,王平
《ZnO掺杂的SnO_2纳米纤维的制备、表征及气敏机理(英文)》PDF+DOC2014年第04期 唐伟,王兢,姚朋军,杜海英,孙炎辉
《专利技术》PDF+DOC2013年第05期
《WO_3纳米片的制备、表征及气敏性能研究(英文)》PDF+DOC2017年第05期 肖井坤,宋成文,董伟,李晨,尹妍妍
《基于氮掺杂石墨烯量子点/硫化镉纳米晶电化学发光传感器检测硫化氢》PDF+DOC 杜方凯,张慧,谭学才,冯德芬,罗燕妮
《ZnO纳米棒的制备及其气敏性研究现状》PDF+DOC2010年第S2期 王新锋,郭二军,王丽萍,岳红彦,朱佩,王爽
《纳米三氧化钨的制备及其应用研究》PDF+DOC2015年第05期 张玉才
分别采用化学刻蚀法、电化学腐蚀法和铂助腐蚀法在室温下制备了应用于气体传感器的纳米级多孔硅,并且对其表面形貌及厚度进行了表征。结果表明,3种方法制备的多孔硅孔径从5~100nm不等,并且3种制备方法各具优缺点,可根据实际需要来选择合适的制备方法。
提示:百度云已更名为百度网盘(百度盘),天翼云盘、微盘下载地址……暂未提供。