作者：刘荣林,程月东,钟传杰 单位：中国计算机用户协会自动控制分会;中国计算机用户协会山西分会 出版：《微计算机信息》2010年第19期 页数：3页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFWJSJ2010190440 DOC编号：DOCWJSJ2010190449 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
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    • 本文研究了PMOS辐射检测传感器的阈值电压漂移特性，文中选择三种具有不同参数的器件结构进行讨论，重点考察了器件尺寸参数对阈值漂移特性的影响，运用二维数值模拟软件MEDICI进行数值模拟和分析，模拟结果表明栅氧厚度、沟道长度和宽度以及沟道掺杂浓度对阈值电压漂移特性具有不同形式的影响。

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