作者：闫劲云,江洁,张广军 单位：中国科学院长春光机所;中国仪器仪表学会 出版：《光学精密工程》2014年第12期 页数：7页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFGXJM2014120010 DOC编号：DOCGXJM2014120019 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
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    • 采用60 Co-γ射线对像增强型图像传感器进行了总剂量辐照实验，以便评估该器件在空间总剂量辐照下的微光探测性能。当总剂量达到预定剂量点时，采用离线测试的方法定量测试了器件的光响应度变化情况。实验结果表明，随着辐照总剂量的增加，器件的光响应度迅速下降；当总剂量达60krad(Si)时，相对光响应度降低至辐照前的6%。根据像增强型图像传感器的构成，分析了光响应度下降的原因，并推导了光响应度随辐照剂量变化的经验公式。实验显示，提高像增强型图像传感器的增益电压可补偿光响应度的衰减，总剂量达25krad(Si)时，增益提高0.23V其光响应度即可恢复至未接受辐照前的100%，并保持良好的微光探测能力。研究表明，像增强型图像传感器可承受25krad(Si)的总剂量辐射。

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