作者：周敬然,张海英,瞿鹏飞,董玮,刘彩霞 单位：中国电子科技集团公司第十三研究所 出版：《微纳电子技术》2010年第11期 页数：5页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFBDTQ2010110140 DOC编号：DOCBDTQ2010110149 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
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    • 针对ICP刻蚀工艺进行了深入研究，探讨了气体流量、射频功率和工作室气压设定值等工艺参数对刻蚀效果的影响，最终在硅基底上获得了线宽为40μm时深刻蚀的最佳工艺参数，即采用BOSCH工艺，压力设定为6Pa，在刻蚀过程中通入流量为100cm3/min的SF6气体，持续11s，射频功率20W，源功率450W，保护过程中通入流量为75cm3/min的C4F8气体，持续10s，射频功率0W，源功率220W，得到了最佳刻蚀结果，并利用此工艺制作出了量程为&#177；12g，灵敏度为79mV/g，精度高于&#177；2%微机械加速度传感器。

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