作者：王巍,代作海,王晓磊,唐政维,徐洋,王平 单位：中国电子科技集团公司第四十九研究所 出版：《传感器与微系统》2010年第09期 页数：4页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFCGQJ2010090230 DOC编号：DOCCGQJ2010090239 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑

    • 研究了杂质不完全离化对金属—绝缘体—碳化硅(MISiC)传感器性能的影响。考虑到Pool-Frenkel效应和外加电场的作用，建立了MISiC器件空间电荷区泊松方程。运用准中性近似，对所建立的泊松方程进行数值计算，得到了空间电荷区的电势分布，进而得到MISiC传感器的I-V与C-V特性。实验结果表明：室温下SiC器件中杂质不完全离化，随着温度的升高，杂质离化率增大。在外加电场的作用下，杂质的离化率增加，并最终导致MISiC器件I-V与C-V曲线的移动。

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