作者：王璐,温殿忠,刘红梅,田丽,莫兵 单位：中国微米纳米技术学会;东南大学 出版：《传感技术学报》2010年第09期 页数：6页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFCGJS2010090060 DOC编号：DOCCGJS2010090069 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
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    • 利用MEMS技术在N型&lt；100&gt；晶向的单晶硅衬底上设计并制作了以纳米硅/单晶硅异质结为源极和漏极的P-MOSFETs脉象传感器。在方形硅膜上制作四个以纳米硅/单晶硅异质结为源极和漏极P-MOSFETs，并将P-MOSFETs的沟道电阻设计成惠斯通电桥结构，从而实现对微小脉象信号的准确检测。实验结果表明，该硅脉象传感器在恒压源-3.0V供电条件下，灵敏度为1.623mV/kPa，准确度为2.029%F.S。

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