作者：程军 单位：北京京仪仪器仪表研究总院有限公司 出版：《仪器仪表与分析监测》2010年第04期 页数：4页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFYQYB2010040050 DOC编号：DOCYQYB2010040059 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑

    • 微电子技术的发展使硅传感器能做得更复杂，获得更高的性能价格比，而影响高性能应用的主要因素是温度稳定性。分析了温度对传感器零位输出电压，输出幅度，灵敏度和桥臂电阻阻值性能的影响，同时从这几个层面给出实际的温度补偿方法。

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