作者：韩鹏,王召巴,陈友兴 单位：中国电子科技集团公司第四十九研究所 出版：《传感器与微系统》2010年第02期 页数：4页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFCGQJ2010020080 DOC编号：DOCCGQJ2010020089 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
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    • 由于高斯函数积分的简单性，利用扩展多元高斯声束模型对矩形相控线阵超声传感器偏转聚焦时的辐射声场进行了理论计算，并在一种介质中与更精确的瑞利积分进行了分析和对比，在偏转角度不是很大的情况下，计算结果非常符合。利用该方法计算了传感器安装在契块上时固体试件中的声场分布，并在入射角大于10&#176；(折射角大于20&#176；)时，对结果进行了修正，使声场计算的偏转范围增大，进一步丰富了高斯叠加方法的适用范围。

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