作者：曹新亮,余宁梅,卫秦啸 单位：中国微米纳米技术学会;东南大学 出版：《传感技术学报》2010年第01期 页数：5页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFCGJS2010010110 DOC编号：DOCCGJS2010010119 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑

    • 基于MOS管的阈值电压和载流子迁移率随温度的变化关系，设计了一种与CMOS工艺兼容的集成温度传感器。该温度传感器选用charted0.35μm工艺库，以Cadence进行电路图、版图设计，并以CadenceSpectre工具进行仿真，最后经流片、测试，实测与仿真对比结果显示：温度在25～105℃之间变化时，输出频率的变化范围为10.19～5.81MHz，且有较好的线性。此传感器对片上系统温度的监测、过热报警和振荡器频率漂移的补偿等均有重要的意义。

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