作者:周俊静,周荣飞 单位:中国电子学会;中国电子元件行业协会 出版:《电子元件与材料》2010年第01期 页数:4页  (PDF与DOC格式可能不同) PDF编号:PDFDZAL2010010360 DOC编号:DOCDZAL2010010369 下载格式:PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
《SAW氢传感器的研究进展》PDF+DOC2007年第03期 周俊静,殷晨波,涂善东,Daniel Sonnleithner 《一种新型CO气敏双层薄膜材料》PDF+DOC2001年第05期 刘文利,俞琳,高建华,李蕾 《TiO_2薄膜氧敏特性研究》PDF+DOC1997年第10期 姚红军,汪荣昌,戎瑞芬,徐飞,金海岩 《薄膜应变片及其进展》PDF+DOC1981年第02期 尹福炎 《荧光小分子在有机薄膜中的固定化及其应用》PDF+DOC 丁立平,亢建平,房喻 《基于脉冲激光沉积的新型镉离子薄膜传感器》PDF+DOC2008年第02期 胡卫军,李毅,邹绍芳,王平,Andrey Legin 《光纤表面薄膜厚度的测量》PDF+DOC2008年第36期 蒋秀丽 《直流反应磁控溅射法制备WO_3薄膜及其氢敏特性研究》PDF+DOC2008年第03期 胡明,冯有才,尹英哲,陈鹏 《光学湿度传感器》PDF+DOC2007年第11期 王珍媛,顾铮 《改善AMR薄膜磁电阻传感器线性度的几种方法》PDF+DOC2006年第08期 王立锦
  • 氢敏薄膜的性质对SAW氢传感器的性能起着至关重要的作用。综述了SAW氢传感器敏感薄膜的国内外研究进展,比较了金属型和金属氧化物半导体(MOS)型薄膜材料的特点,着重阐述了金属氧化物半导体薄膜对SAW的作用机理和改性途径,以及纳米技术在SAW氢传感器敏感薄膜中的应用,展望了氢敏薄膜的发展方向。

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