作者:张宁波,高超,李丽君,张艳艳,于国亮,魏帅,曹慧,尹兴彬,曹茂永 单位:武汉邮电科学研究院 出版:《光通信研究》2010年第05期 页数:3页  (PDF与DOC格式可能不同) PDF编号:PDFGTXY2010050160 DOC编号:DOCGTXY2010050169 下载格式:PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
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  • 提出一种基于双包层光纤和耦合器的双包层光纤微弯传感器结构及暗场检测方法。通过理论和仿真分析,建立了双包层光纤弯曲损耗的理论模型;通过对光纤结构参数与传感器灵敏度关系的仿真,获得了实验用光纤最佳结构参数;理论和仿真分析了变形器的最佳周期、齿间距和齿数问题;对双包层光纤微弯传感器及其暗场检测方法进行了实验研究,结果显示,传感器输出光场与光纤形变之间有着较好的线性关系。

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