作者：杜广涛,陈向东,林其斌,李辉,郭辉辉 单位：中国仪器仪表学会 出版：《仪器仪表学报》2010年第07期 页数：7页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFYQXB2010070180 DOC编号：DOCYQXB2010070189 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
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    • 提出了一种新型的基于Si压阻效应的铁磁体MEMS磁场传感器结构，其结构由制作在硅桥敏感膜表面的惠斯通电桥和在膜中间旋涂环氧胶沾上铁磁体制成。铁磁体在外磁场中磁化产生磁力，磁力耦合到硅桥敏感膜上会产生应力使膜上的惠斯通电桥产生电压输出以达到测量磁场的目的。文章先通过有限元软件对铁磁体在磁场中的受力大小和磁场传感器在磁力下的输出进行了仿真，然后对该结构进行了测试，仿真结果和实验结果较接近。实验测得该传感器最大灵敏度为70 mV/T，分辨率为330μT。该磁场传感器结构简单、工艺成熟、成本低，易于大批量生产。

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