作者:禹忠,蒋庄德,李蓉,王海容 单位:中国电子科技集团第四十四研究所 出版:《半导体光电》2010年第04期 页数:5页  (PDF与DOC格式可能不同) PDF编号:PDFBDTG2010040090 DOC编号:DOCBDTG2010040099 下载格式:PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
《M-Z型硅基ARROW压力传感器设计》PDF+DOC2003年第Z1期 肖素艳,王东红,刘晓为,秦建勇 《BCB/SiO_2双导芯层叠ARROW结构压力传感器设计》PDF+DOC2010年第04期 禹忠,李蓉,王海容,蒋庄德 《C型压力传感器结构偏差对传感器灵敏度的影响》PDF+DOC1996年第09期 丁艳萍,吴坚民,郑殿忠 《一种MEMS压力传感器的工艺设计与仿真》PDF+DOC 王健,赵华强,李盛楠,曹正宗 《用于深度测量探头的光纤光栅压力传感器》PDF+DOC2017年第01期 周苏萍,何少灵,桑卫兵 《干涉光非接触式读出压力传感器》PDF+DOC2000年第08期 孙以材,高振斌,孙冰 《硅压力传感器研究现状》PDF+DOC1999年第06期 王丰 《压力传感器的计算机辅助设计》PDF+DOC1994年第01期 萧敬勋,孙以材,杨庆新 《光导纤维压力传感器的新进展》PDF+DOC1991年第01期 白韶红 《基于MEMS压力传感器的研究》PDF+DOC2005年第02期 颜鹰,史铁林
  • 为了缩短传感器尺寸,提高耦合效率,提出了一种三维Mach-Zehnder型抗共振反射光波(ARROW)压力传感器。该传感器为一个金属分割的层叠ARROW结构以及两个3dB垂直耦合器组成的Mach-Zehnder干涉仪。利用有限元方法(FEM)研究、分析了硅弹性膜片应力分布,确定传感器的结构设计参数。使用BPM分析由光弹性效应引起输出变化及其与压力之间的关系。结果表明,该传感器可通过调整垂直耦合器的长度来调节耦合效率,无需弯曲波导,可降低器件尺寸,实现压力检测。

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