作者：童筱钧,钟素娟 单位：中国电子科技集团公司第二十六研究所 出版：《压电与声光》2011年第02期 页数：4页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFYDSG2011020000 DOC编号：DOCYDSG2011020009 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑

    • 该文应用耦合模理论，重点研究了几个关键因素对横向耦合谐振滤波器高次模式对应旁瓣相对于主通带相对衰减量的影响。这几个关键因素包括相对膜厚、反射栅与换能器周期比、换能器间汇流条宽度等。研究表明，该文在设计频率为159.2 MHz的横向耦合谐振滤波器时，对高次模式引起的旁瓣作了抑制处理，该文给出了此滤波器的计算模拟结果和实验测试数据。实验器件匹配后具有高阻带抑制(通带外抑制达50 dB)、低插损(2.9 dB)和平坦的通带(通带波纹小于0.3 dB)，1 dB带宽为130 kHz。

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