作者：冷健,薛维,喻志农,卢维强,王华清,张东璞 单位：中国真空学会 出版：《真空科学与技术学报》2011年第04期 页数：5页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFZKKX2011040170 DOC编号：DOCZKKX2011040179 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
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    • 研究了离子能量在薄膜制备过程中对TiO2和SiO2薄膜应力的影响。用电子束蒸发的方法制备TiO2和SiO2薄膜，使用实验室自行设计制作的基于哈特曼传感器的薄膜应力仪在线监测TiO2和SiO2薄膜应力随膜厚的变化。结果表明，离子辅助沉积的TiO2薄膜张应力值要比传统工艺低40 MPa，并且随着离子能量的增加，薄膜逐渐由张应力变为压应力，薄膜的最大折射率为2.56；而离子辅助的溅射效应在制备SiO2薄膜时比较明显，传统工艺制备的SiO2薄膜表现为压应力，而用离子辅助的方法制备的SiO2薄膜表现为张应力，并且随着离子能量的增加，薄膜变得疏松，折射率逐渐降低。

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