作者:秦臻,林祖伦,叶祥平,祁康成,王小菊 单位:东南大学 出版:《电子器件》2014年第06期 页数:4页  (PDF与DOC格式可能不同) PDF编号:PDFDZQJ2014060060 DOC编号:DOCDZQJ2014060069 下载格式:PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
  • 为了更好的对CMOS图像传感器中光电二极管的光电转换物理现象进行研究,需要建立正确合适的光电二极管数学物理模型。通过少数载流子稳态连续方程建立光电二极管的一维物理模型,求解方程后,代入参数在MATLAB中对两层结构的n+/p-sub型和n-well/p-sub型,以及三层结构的p+/n-well/p-sub型二极管进行了计算模拟,得到了3种二极管响应率与波长的关系曲线。最后将结果与实际值进行了对比分析,确认了模型能够在一定程度上反映实际的物理情况。

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