作者：傅邱云,张波,赵程程,龚树萍,周东祥 单位：沈阳仪表科学研究院有限公司 出版：《仪表技术与传感器》2011年第03期 页数：3页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFYBJS2011030020 DOC编号：DOCYBJS2011030029 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑

    • 针对片式正温度系数热敏电阻(PTCR)传感器的还原再氧化制备工艺，研究了还原性气氛下烧结温度对热敏材料性能的影响。结果表明烧结温度在1 215~1 295℃范围内的还原气氛下烧结，瓷体均可半导化，瓷体的平均晶粒尺寸随烧结温度升高而增大，增大趋势由缓慢到逐步加快。再氧化处理前瓷体电阻率均小于10Ω.cm.再氧化后，瓷体的电阻率和升阻比都呈现出了不同程度的增长，增长幅度随烧结温度的升高而降低。此外，提高再氧化温度可提高升阻比同时会使瓷体电阻率增大。

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