作者:李新,刘沁 单位:沈阳仪表科学研究院有限公司 出版:《仪表技术与传感器》2011年第06期 页数:2页  (PDF与DOC格式可能不同) PDF编号:PDFYBJS2011060000 DOC编号:DOCYBJS2011060009 下载格式:PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
《p-型扩散层压阻效应的非线性》PDF+DOC1983年第Z1期 Kazuji Yamada ,Motohisa Nishihara ,尚险峰 《基于MEMS工艺的SOI高温压力传感器设计》PDF+DOC2015年第09期 李丹丹,梁庭,李赛男,姚宗,熊继军 《高温压力传感器的新进展——金刚石微压力传感器》PDF+DOC 莘海维,张志明,沈荷生,戴永兵,万永中 《半导体高温压力传感器的研究》PDF+DOC1996年第02期 毛赣如,姚素英,曲宏伟,张维新 《一种SOI高温压力传感器敏感芯片》PDF+DOC2014年第04期 王伟,梁庭,李赛男,洪应平,葛冰儿,郑庭丽,贾平岗,熊继军 《抗冲击耐高温微加速度传感器设计》PDF+DOC2009年第03期 徐春晓,房立清,周新伟 《基于AIN绝缘的多晶硅高温压力传感器设计》PDF+DOC2008年第01期 王云彩,孙以材,陈杰,耿青涛 《介观压阻效应在硅微加速度计中的应用》PDF+DOC2007年第29期 王辉,吴瑞,温廷敦 《表面应力测量SOI压阻悬臂梁传感器设计与优化》PDF+DOC2006年第10期 庄志伟,王喆垚,刘理天 《原子力显微镜悬臂梁力传感器的设计与优化》PDF+DOC 王晓冬
  • 针对注氧隔离技术制备的SOI晶圆顶层硅材料的高温压阻效应,设计并制作研究压阻效应的实验装置与测试样品,在高温条件下,利用悬臂梁结构研究SOI晶圆顶层硅的压阻效应。研究结果表明:在一定的掺杂浓度条件下,硅[110]晶向上的纵向压阻系数随温度的升高而减小,横向压阻系数随温度的升高变化不大。在300℃条件下,硅[110]晶向具有较大的纵向压阻系数和横向阻系数,且性能稳定,适于高温压阻式压力传感器的制作。

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