《注氧隔离技术SOI晶圆材料高温压阻效应》PDF+DOC
作者:李新,刘沁
单位:沈阳仪表科学研究院有限公司
出版:《仪表技术与传感器》2011年第06期
页数:2页 (PDF与DOC格式可能不同)
PDF编号:PDFYBJS2011060000
DOC编号:DOCYBJS2011060009
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针对注氧隔离技术制备的SOI晶圆顶层硅材料的高温压阻效应,设计并制作研究压阻效应的实验装置与测试样品,在高温条件下,利用悬臂梁结构研究SOI晶圆顶层硅的压阻效应。研究结果表明:在一定的掺杂浓度条件下,硅[110]晶向上的纵向压阻系数随温度的升高而减小,横向压阻系数随温度的升高变化不大。在300℃条件下,硅[110]晶向具有较大的纵向压阻系数和横向阻系数,且性能稳定,适于高温压阻式压力传感器的制作。
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