《ST采用硅通孔技术实现尺寸更小且更智能的MEMS芯片》PDF+DOC
作者:郑冬冬
单位:中国电子科技集团公司第五十五研究所
出版:《》
页数:1页 (PDF与DOC格式可能不同)
PDF编号:PDFBDXX2011060200
DOC编号:DOCBDXX2011060209
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《意法将TSV技术引入MEMS芯片量产》PDF+DOC 郑冬冬
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意法半导体率先将硅通孔技术(TSV)引入MEMS芯片量产。在意法半导体的多片MEMS产品(如智能传感器、多轴惯性模块)内,硅通孔技术以垂直短线方式取代传统的芯片互连线方法,在尺寸更小的产品内实现更高的集成度和性能。硅通孔技术利用短垂直结构连接同一个封装内堆叠放置的多颗芯片,相较于传统的打线绑定或倒装芯片堆叠技术,硅通孔技术具有更高的空间使用效率和互连线密度。意法半导体已取得硅通孔技术专利权,并将其用于大规模量产制造产品,此项技术有助于缩减MEMS芯片尺寸,同时可提高产品的稳定性和性能。
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