作者：闫长领,张春朵,樊宏哲,陈玉娟,李金,刘珣,王公轲 单位：中国科学院化学研究所;中国化学会 出版：《》 页数：5页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFHXTB2016010110 DOC编号：DOCHXTB2016010119 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑

    • 本文将电化学合成与分子印迹技术相结合，采用循环伏安法在石墨电极表面，形成盐酸环丙沙星(CPX)分子印迹聚吡咯薄膜，制备了CPX分子印迹传感器。实验对传感器的制备条件进行了优化，用铁氰化钾作为活性电子探针，采用方波伏安法研究了传感器性能。结果表明，在1&#215；10~(-8)~1&#215；10~(-4)mol/L范围内，峰电流与CPX浓度负对数呈良好的线性关系，检出限(S/N=3)为3.5&#215；10~(-9)mol/L。传感器对模板分子CPX选择性强，重现性和稳定性好，置于室温下15d峰电流强度无明显变化。

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