作者：陈春林,钟传杰,于宗光 单位：四川固体电路研究所 出版：《微电子学》2011年第03期 页数：5页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFMINI2011030250 DOC编号：DOCMINI2011030259 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
《PMOS辐射检测传感器阈值漂移特性的Medici模拟》PDF+DOC2010年第19期 刘荣林,程月东,钟传杰 《PMOS辐照检测传感器》PDF+DOC2002年第01期 陈德英,张旭,姜岩峰,樊路嘉,张会珍,余艳玲 《基于4晶体管像素结构的互补金属氧化物半导体图像传感器总剂量辐射效应研究》PDF+DOC 王帆,李豫东,郭旗,汪波,张兴尧,文林,何承发 《SiC SBD与MOSFET温度传感器的特性》PDF+DOC2017年第02期 张林,杨小艳,高攀,张赞,胡笑钏,高恬溪 《多层结构ISFET传感器特性的研究》PDF+DOC1990年第01期 祁增芳,余剑平 《以双读出方式工作的线转移成象传感器(下)五、传感器特性的分析》PDF+DOC1987年第03期 周航宇 《高压电气设备泄露电流检测传感器的研究》PDF+DOC2001年第05期 孙和义,赵学增,代礼周,赵学涛 《用温度传感器原理设计“保温杯”》PDF+DOC 王娜,范玉杰,李伟,叶文江 《宽带光源入射下单模-多模-单模全光纤电流传感器特性研究》PDF+DOC2014年第07期 张荣香,韩群,刘铁根,陈耀飞,李琳 《不同结构nMOS管的总剂量辐射效应》PDF+DOC2014年第11期 闫旭亮,孟丽娅,袁祥辉,黄友恕,吕果林

    • 根据PMOS辐照检测传感器在辐照时所产生的氧化层电荷(Qot)的两个不同模型，模拟计算了不同剂量条件下的亚阈值特性。结果表明，在满足一阶动力学方程下建立的Qot模型与实验结果较为吻合，并适用于更大范围的辐照剂量。此外，还讨论和计算了栅氧化层厚度、沟道掺杂浓度等参数对PMOS辐照检测传感器特性的影响。结果表明，栅氧化层厚度是影响阈值电压漂移量的主要因素。

    📙 相关资料

    1. 《PMOS辐射检测传感器阈值漂移特性的Medici模拟》PDF+DOC 本文研究了PMOS辐射检测传感器的阈值电压漂移特性，文中选择三种具有不同参数的器件结构进行讨论，重点考察了器件尺寸参数对阈值漂移特性的影响，运用二维数值模拟软件MEDICI进行数值模拟和分析，模拟结果表明栅氧厚度、沟道长度和宽度以及沟道掺杂浓度对阈值电压漂移特性具有不同形式的影响。...
    2. 《PMOS辐照检测传感器》PDF+DOC 比较了常用的 3种辐照剂量计 ，并详细介绍了PMOS辐照检测传感器的优点、制备工艺、工作模式、ΔVth-D特性及测试电路的原理图...
    3. 《基于4晶体管像素结构的互补金属氧化物半导体图像传感器总剂量辐射效应研究》PDF+DOC 对基于4晶体管像素结构互补金属氧化物半导体图像传感器的电离总剂量效应进行了研究，着重分析了器件的满阱容量和暗电流随总剂量退化的物理机理.实验的总剂量为200 krad(Si)，测试点分别为30 krad(Si)，100 krad(Si)，150 krad(Si)和200 krad(Si)，剂量率为5......
    4. 《SiC SBD与MOSFET温度传感器的特性》PDF+DOC 对SiC肖特基势垒二极管(SBD)和金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)温度传感器进行了理论分析与测试。基于器件的工作原理，分析了影响传感器灵敏度的因素，SiC SBD温度传感器的灵敏度主要受理想因子的影响，而SiC MOSFET温度传感器的灵敏度主要受栅氧化层厚度等因素的影响。仿真结果表明......
    5. 《多层结构ISFET传感器特性的研究》PDF+DOC 本文着重研究了Si_3N_4/SiO_2、Ta_2O_5/SiO_2、Ta_2O_5/Si_3N_4/SiO_2、Ta_2O_5/NAS/Si_3N_4/SiO_2等多层介质结构H~+-ISFET传感器的特性，给出了实验结果，并做了必要的分析讨论。...
    6. 《以双读出方式工作的线转移成象传感器(下)五、传感器特性的分析》PDF+DOC 五、传感器特性的分析线转移成象传感器正像在前面一节描述的那样，由于使用了垂直汇流线的双读出，使之呈现了独特的性能。在这节中将分析这些特性。(一)瞬态噪声引入到每个加注转移的两个瞬态噪声源可分为：沟道的界面态噪声和由于沟道电阻造成的噪声，前者可通过对整个 LTD 全部采用埋沟工艺来消除，这同时也促进了......
    7. 《高压电气设备泄露电流检测传感器的研究》PDF+DOC 电力设备绝缘在线监测技术已成为保证安全发电和供电、及时发现事故隐患、减少停电检修、提高供电可靠性的重要技术手段 ，高压设备绝缘在线监测的关键技术是泄露电流的采集 .为此分析了单匝穿芯式与多匝串入式传感器的结构原理 ，从变电所被测高压设备性能以及现场情况出发 ，阐述了单匝穿芯式传感器本身具有信号弱、稳......
    8. 《用温度传感器原理设计“保温杯”》PDF+DOC 利用A9590温度传感器的特性，提出了一种既方便又实用的“保温杯”设计思路。可将温度示数直接转化为输出电压量，再运用集成运放、比较器和二极管来控制水温，使之保持在40℃～70℃。...
    9. 《宽带光源入射下单模-多模-单模全光纤电流传感器特性研究》PDF+DOC 建立了基于单模-多模-单模光纤结构和磁流体的全光纤电流传感器，此传感器能够通过检测透射光谱的特征波长漂移和传输损耗变化两种方法来探测电流。对于第一种方法，得到电流灵敏度为1243.7pm/A[77.9pm/Oe，1Oe=1/(4π)&#215；103 A/m]；对于第二种方法，传感特性依赖于......
    10. 《不同结构nMOS管的总剂量辐射效应》PDF+DOC X射线直接成像的CMOS图像传感器由于工作在X射线辐射下，其内部器件会因为辐射效应引起性能恶化，因此需要对器件进行抗辐射加固并研究辐射对器件参数的影响。辐射导致的氧化物陷阱电荷及界面陷阱电荷受到栅氧厚度、偏置电压大小、辐射总剂量以及剂量率等多种因素影响。设计了n型场效应晶体管辐射加固结构版图，用0.......

    提示：百度云已更名为百度网盘（百度盘），天翼云盘、微盘下载地址……暂未提供。