作者：王萍 单位：天津仪表集团 出版：《仪器仪表用户》2011年第01期 页数：4页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFDZYQ2011010180 DOC编号：DOCDZYQ2011010189 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑

    • 采用SMIC 0.18μm CMOS工艺，设计了一种应用于无线传感器网络SoC芯片中射频收发机模块的LDO，具有低温度系数，低静态电流和高电源电压抑制比。其电源电压抑制比大于58dB在1kHz。在-40-+85℃的范围内，温度系数为6.87ppm/℃。电源电压在2.0-3.6V的变化范围内，LDO能提供1.8V的稳定输出电压，100mA的输出电流。芯片面积为0.168mm2，最大静态电流为221.9μA。测试结果表明带隙基准的输出电压为0.429V，LDO的输出电压是1.850V。

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