作者：李占文,单光宝 单位：中国电子科技集团公司第十三研究所 出版：《微纳电子技术》2011年第07期 页数：5页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFBDTQ2011070090 DOC编号：DOCBDTQ2011070099 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
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    • 基于VOx的非致冷红外传感器是当前MEMS的研究热点。VOx的制作是关键工艺，而VOx多价态共存，优化工艺以提高VO2在VOx中的比例、制备高性能的VOx薄膜为核心技术。采用直流磁控溅射法，对量产型PVD机台进行了技术改造，在溅射过程中用电压同时控制靶材溅射速率和氧气流量，少量的氩气充当靶材的保护气体。溅射完成后在350℃下退火约3h以降低噪声和残余应力。经测试，得到的氧化钒薄膜电阻温度系数(TCR)的绝对值大于2.8%/K，EDX分析得V和O的原子数比约为1∶1.8，像元均匀性优于5%，封装后样品等效噪声温差小于100mK，并给出了384&#215；288阵列样品的红外成像效果图。结果表明：采用的方法有助于实现相关成像阵列的量产化。

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