作者:周志刚,胡木林,李鄂胜 单位:重庆西南信息有限公司 出版:《材料导报》2011年第03期 页数:5页  (PDF与DOC格式可能不同) PDF编号:PDFCLDB2011030120 DOC编号:DOCCLDB2011030129 下载格式:PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
《气体传感器研究进展和发展方向》PDF+DOC2003年第10期 吴玉锋,田彦文,韩元山,翟玉春 《气体传感器的分类与工作原理浅探》PDF+DOC2015年第01期 雷菊华,方志兵 《气体传感器的研究与发展》PDF+DOC2000年第09期 刘威 《有机/聚合物薄膜声表面波气体传感器的设计简介》PDF+DOC1998年第03期 胡文平,刘云圻,朱道本 《铜硅取代的酞青材料LB膜气敏传感器的研究》PDF+DOC1998年第02期 李岚,许琳,华玉林,张飒飒 《金红石型TiO_2气敏材料的研究》PDF+DOC2006年第08期 黄萍,裴素华 《半导体气敏元件》PDF+DOC2005年第01期 吴义炳 《金属氧化物气敏元件稳定性的研究进展》PDF+DOC2007年第02期 杨勇,柏自奎,谢长生 《半导体气敏材料的研究现状与发展趋势》PDF+DOC2017年第35期 赖小勇,郭茹 《Ag-LaFeO_3的制备及甲醛气敏性能研究》PDF+DOC2012年第07期 林毓韬,徐涛,朱忠其,柳清菊
  • 金属氧化物半导体(MOS)气敏传感器的稳定性是气敏器件实用化进程中最具有挑战性的因素。影响器件稳定性的主要因素包括颗粒尺寸、颈部宽度、微裂纹、电极、湿度和温度的变化。颗粒的长大和颗粒间颈部尺寸的变化降低了耗尽层对总电阻变化的贡献;微裂纹的加剧使器件的电阻发生漂移,并且为水蒸气、氧气和待测气体扩散到敏感膜内部提供便捷的通道;电极的退化影响电极与气敏材料之间的接触电阻Rc;温度和湿度的改变使气体的吸附、脱附、反应活性和电子迁移率等都发生变化,因而器件的稳定性得不到保证。在机理分析的基础上,分别介绍了提高器件稳定性的方法。

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