《化学腐蚀条件下电气传感器用单晶硅的微观形貌演化》PDF+DOC
作者:刘峥
单位:中国铸造协会;西安铸造学会
出版:《铸造技术》2015年第10期
页数:2页 (PDF与DOC格式可能不同)
PDF编号:PDFZZJS2015100110
DOC编号:DOCZZJS2015100119
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以电气传感器用单晶硅为对象,研究其在TMAH溶液中的腐蚀现象,分析化学腐蚀条件下单晶硅的微观形貌演化。结果表明,在TMAH溶液中腐蚀后,单晶硅的倒金字塔结构中有刻蚀坑出现,且随着腐蚀时间的延长,倒金字塔结构的体积增大。单晶硅(111)晶面和(110)晶面的交界处出现的腐蚀畸变和硅原子密排结构的变化,是提高(111)面腐蚀速率的主要原因。
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