作者：王大军,李淮江 单位：吉林师范大学 出版：《吉林师范大学学报(自然科学版)》2011年第01期 页数：4页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFSLXK2011010410 DOC编号：DOCSLXK2011010419 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑

    • 硅压力传感器是利用半导体硅的压阻效应制成，其品质的优劣主要决定于敏感结构的设计与制作工艺.文章从硅压力传感器敏感薄膜的选择、敏感电阻条的确定以及敏感电阻位置的选取，设计了一种方案并进行了实验验证，得出所设计的压力传感器精度达到0.1%~0.25%F.S。

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