作者：塔力哈尔·夏依木拉提,尚志勇,李文亮,彭敏,孟军霞,谢宁 单位：中国电子学会;中国电子元件行业协会 出版：《电子元件与材料》2015年第10期 页数：4页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFDZAL2015100060 DOC编号：DOCDZAL2015100069 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
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    • 结合FET和一维微纳材料的优势，构筑了具有高灵敏度和低检测极限的FET式H2S气体传感器。研究结果发现，在室温条件下，器件对体积分数5&#215；10–6至50&#215；10–6的H2S具有良好的灵敏度和低检测极限(5&#215；10–6)。相比于薄膜FET传感器，检测极限降至原来的1/20。与PMMA绝缘层比较研究结果显示：引起器件对H2S的高器件性能的原因主要归因于被暴露的导电沟道和微纳材料的性质。

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