作者：周旭华,徐世六,张正元 单位：四川固体电路研究所 出版：《微电子学》2011年第05期 页数：5页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFMINI2011050110 DOC编号：DOCMINI2011050119 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
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    • 通过分析硅压敏电阻与晶向的关系，找到力敏电阻在硅膜片上的最佳位置。经测量，在10～400kPa范围内，压阻电桥的灵敏度约为0.36mV/kPa。提出一种由惠斯登电桥双端输出和双级放大器组成的电路结构，以对称的输入结构和全摆幅输出，解决了传感器输出小、易产生零点漂移的问题。用Cadence软件对电路进行模拟，在5V电源电压下，该放大电路的输出范围为0.036～4.953V，开环增益为110dB，CMRR为105.8dB，相位裕度为63.68&#176；，可满足压力传感器的要求。

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