作者：何秋阳,徐跃,赵菲菲 单位：沈阳仪表科学研究院有限公司 出版：《仪表技术与传感器》2011年第10期 页数：3页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFYBJS2011100040 DOC编号：DOCYBJS2011100049 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑

    • 文中提出了一种工作在低磁场条件下的十字型CMOS集成霍尔传感器的简化仿真模型。该模型结构简单，由1个包含电阻、电流控制电压源和电容的无源网络构成。该模型全面考虑了几何、温度和封装应力等因素带来的影响，由模拟硬件描述语言Verilog_A来实现，已成功在Cadence的Spectre仿真器上完成了电路仿真。为了验证模型的准确性，在相同工艺参数下使用Silvaco TCAD对该十字型霍尔传感器进行了三维器件仿真，器件仿真和电路仿真结果达到了很好的一致性，表明该模型在低磁场条件下具有较高的仿真精度。

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