作者：林荣,蔡敏,黄伟朝,李正平 单位：中国微米纳米技术学会;东南大学 出版：《传感技术学报》2011年第07期 页数：5页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFCGJS2011070090 DOC编号：DOCCGJS2011070099 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑

    • 为了精确的测量超大规模集成电路芯片表面的温度，监控电路工作状态和进行过热保护，采用一种新型CMOS片上温度传感器结构。首先利用两个衬底PNP管的基-射电压差ΔVBE的PTAT特性来感测温度，然后利用偏置电路镜像过来的PTAT电流来控制一个三阶的环型振荡器，产生频率与温度成正比的振荡信号，再利用测频电路转化为8位数字。利用0.13μm CMOS工艺设计，版图面积仅为0.02 mm2。功耗为0.3μW(100 sample/S)。后版图仿真结果显示，在-60℃到160℃温度范围内的测量精度为&#177；3.5℃(校准后)。该电路具有低功耗、高精度和芯片面积小等优点。该电路将用于WiMAX/LTE收发信机芯片上，对芯片表面温度进行监控。

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