作者：冯秀娟,张春熹,于佳,李传生 单位：北京航空航天大学 出版：《北京航空航天大学学报》2011年第08期 页数：5页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFBJHK2011080150 DOC编号：DOCBJHK2011080159 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑

    • 针对一种新型的具有准互易反射式光路结构的光学电压传感器，设计了基于锗酸铋(BGO，Bi4Ge3O12)晶体横向调制方式的高压探头.采用ANSYS有限元分析软件对所设计的高压探头进行电场计算，得到了探头内的电场及电势分布；讨论了探头内电场分布不均匀及干扰电场导致的测量误差.计算结果表明：标准条件下探头的最高可测电压不低于15kV；电场分布不均匀导致光沿着晶体内不同路径传输时，电场强度对路径的积分结果即测量电压不同，影响传感器的稳定性和测量精度；探头内干扰电场导致0～5 kV范围内最大测量误差达1.2‰，这一测量误差对于2‰精度的电压传感器是不可忽略的。

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