作者:隋晓红,高勇,赵阶喜,杨媛,任秋实 单位:中国电子学会 出版:《电子学报》2011年第08期 页数:5页  (PDF与DOC格式可能不同) PDF编号:PDFDZXU2011080140 DOC编号:DOCDZXU2011080149 下载格式:PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
  • 针对于视觉假体的应用领域,本文提出了一种新型的高动态范围的CMOS图像传感器(CMOS ImageSensor,CIS)像素单元电路.该电路采用了列共用单元的条件溢出电容和多次积分技术,大大提高了图像传感器的动态范围,同时使其在低光照时保持较高的灵敏度和信噪比.采用了特许半导体公司的0.35μm CMOS工艺参数对该电路进行了仿真,结果表明所设计的电路比普通四晶体管有源像素传感器(4 Transistor Active Pixel Sensor,4T APS)电路的动态范围提高了约62dB,并且在低光照时保持了普通4T APS的高信噪比和灵敏度的特点。

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