作者：郭恺,王三胜,程远超 单位：中国电子科技集团公司第十三研究所 出版：《微纳电子技术》2011年第02期 页数：6页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFBDTQ2011020110 DOC编号：DOCBDTQ2011020119 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
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    • 采用溶胶凝胶法制备了LaMnOx(LMO)薄膜，系统研究了不同烧结温度、纵向直流磁场后退火和生长膜层数对LMO薄膜的巨磁阻抗效应的影响。结果表明，烧结温度、膜的层数以及纵向磁场后退火处理均有效提高了LMO的巨磁阻抗比，其中纵向直流磁场后退火处理提高薄膜阻抗比效果最显著，经过10Oe、400℃恒温1h磁场后退火处理后，在频率5MHz、100Oe外磁场下其磁阻抗比达15.8%，相比未后处理样品磁阻抗比提高了一倍，其对应的磁场灵敏度为0.16%/Oe。同时，实验发现磁场后退火不仅影响薄膜的巨磁阻抗比，也会改变阻抗比极大值所对应的激励频率，这一现象目前仍在探究中。

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