作者：刘慧颖,李斌桥,高志远,姚素英 单位：中国电子科技集团公司第四十九研究所 出版：《传感器与微系统》2015年第08期 页数：4页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFCGQJ2015080030 DOC编号：DOCCGQJ2015080039 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑

    • 为提高数字像素图像传感器的动态范围，提出了一种具有自适应参考电压的脉冲宽度调制读出方法。该方法将像素阵列分成包含相同数目像素的像素块，通过参考电压产生模块使每个像素块的参考电压和像素块内光照强度相关，理论上这种结构能够将数字像素图像传感器的动态范围从48 d B提升至96 d B，实际仿真结果为88.16 d B。分析了像素分块内主要的噪声来源和参考电压产生模块的采样电容引入的偏差。采用65 nm CMOS工艺实现了4&#215；4的像素块电路，在高光强和弱光强条件下分别将电路输出同理论计算值相比较，并分析了产生误差的原因。

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