作者：杨慧,王三胜,郭恺,褚向华,徐炎 单位：中国电子科技集团公司第十三研究所 出版：《微纳电子技术》2011年第08期 页数：4页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFBDTQ2011080070 DOC编号：DOCBDTQ2011080079 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
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    • 介绍了非晶带产生巨磁阻抗(GMI)效应的机理，对Co基非晶带进行了磁场后退火处理，磁阻抗比得到显著提高，为179%。在此基础上设计了一种基于GMI效应的磁传感器电路，详述了各个环节的电路设计。通过优化传感器电路相关的工作参数，改善了传感器输出性能并给出了典型结果。在常温下，非晶带激励电流频率为10MHz时得到了非晶带的最佳激励电流幅值，为15mA，并测得H-V转换曲线。传感器在开环和闭环下进行了对比试验，在测量磁场范围&#177；1Oe(1A.m-1=4π&#215；10-3Oe)内得到磁传感器灵敏度为219mV/Oe，线性度为10.8%。其在弱磁探测领域有较好的应用前景。

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