《石墨烯晶格缺陷可以产生磁场电阻效应,有望应用于磁传感器和磁阻随机存储器》PDF+DOC
作者:郑冬冬
单位:中国电子科技集团公司第五十五研究所
出版:《》
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PDF编号:PDFBDXX2011020190
DOC编号:DOCBDXX2011020199
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《石墨烯磁传感器研究进展》PDF+DOC2020年第03期 袁恺鑫,杜爱民,唐衡
《磁传感器的发展与应用》PDF+DOC1985年第05期 于成民
《一种各向异性磁阻传感器在车辆探测中的应用》PDF+DOC2009年第05期 乔建忠,李艳,文丰
《基于磁阻抗测量法的应力传感器》PDF+DOC2015年第03期 王瑛,张璋,周尚
《基于各向异性磁阻传感器灵敏度与分辨率的探讨》PDF+DOC 黄少楚,冯晓明,卢丽卿,谭诗谣,陈嘉华,曾育锋
《非线性磁阻抗传感器检测方法研究》PDF+DOC2020年第04期 郭大哲,文玉梅,李平,王遥
《基于椭球补偿的三维载体磁场误差补偿方法》PDF+DOC2018年第02期 秦赓,管雪元,李文胜
《一种新型磁阻传感器的研究及应用》PDF+DOC1999年第01期 袁智荣,李智
《InSb伪币检测传感器的研究》PDF+DOC1999年第04期 方培生,厉亦光,高泉和,陆肖宜
《磁传感器的应用(一)》PDF+DOC1985年第01期 马昌贵
美国马里兰大学的研究人员最近发现,在石墨烯晶格中人为地、有控制地引入晶格缺陷,可以产生局部磁场,这些磁场对传导电子散射几率的影响类似于参杂金属晶体中产生的近藤效应。研究人员希望这一发现使得石墨烯可以被用来制造磁传感器和磁阻随机存储器。
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