作者:李严,薛娓娓,杨延宁 单位:北京国际科技服务中心 出版:《科技资讯》2011年第33期 页数:1页  (PDF与DOC格式可能不同) PDF编号:PDFZXLJ2011330010 DOC编号:DOCZXLJ2011330019 下载格式:PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
  • 金刚石具有很强的抗辐射性、耐腐蚀性能,被誉为发展前途广阔的第三代半导体材料。本文将从纳米金刚石半导体薄膜的研究现状出发,并详细分析了使用纳米金刚石薄膜压力传感器,并通过实验的方式制作与完成整个传感器的模拟实验。

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