作者：谢宁宁,陈向东,李晓钰,宋濛 单位：中国电子科技集团公司第十三研究所 出版：《半导体技术》2011年第07期 页数：5页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFBDTJ2011070000 DOC编号：DOCBDTJ2011070009 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
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    • 通过ANSYS软件分析了平面电容传感器电容量与极板宽度和极板间距的关系，并选择合适的平面电容传感器探头的尺寸。针对非金属材料表面下水损伤的检测，提出了一种结构简单、操作方便的三电极平面电容传感器检测法。根据平面电容传感器检测材料相对介电常数的变化，深入研究了非金属材料表面下水柱损伤深度和水柱损伤区域大小对电容量的影响。仿真和初步实验结果表明，在一定范围内，测得的电容值随着水柱损伤深度和损伤区域大小的变化而变化。

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