作者: 单位:中国电力报社;中电传媒股份有限公司 出版:《中国电业(技术版)》2011年第08期 页数:1页  (PDF与DOC格式可能不同) PDF编号:PDFZDJI2011080300 DOC编号:DOCZDJI2011080309 下载格式:PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
  • 江苏多维科技有限公司研发的TMR磁传感器芯片,一举打破了国外的技术垄断。此前该领域国内与国外存在10年的技术差距,芯片市场被国外厂商控制。公司基于运用在硬盘读磁头上的技术,通过改进薄膜材料组份、创新薄膜结构设计,研发出国际领先水平的纳米磁性多层膜结构,造出了拥有自主知识产权的磁传感器芯片,并用28项专利占据了磁传感器领域的技术制高点。

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