作者：周小岩,韩治德,李传勇,刘晓龙 单位：中国石油大学(华东) 出版：《中国石油大学学报(自然科学版)》2012年第05期 页数：5页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFSYDX2012050360 DOC编号：DOCSYDX2012050369 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
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    • 采用射频磁控溅射的方法在不同电阻率的p型硅衬底上沉积氧化锌薄膜，制备了ZnO/p-Si异质结。通过X射线衍射(XRD)和扫描电镜(SEM)分析ZnO薄膜的物相结构和表面形貌。研究室温下不同电阻率的硅衬底对ZnO/p-Si异质结电流-电压特性和酒精敏感特性的影响。结果表明：ZnO薄膜结晶情况良好，具有高度的c轴择优取向，表面颗粒分布均匀；ZnO/p-Si异质结酒精敏感性依赖于p-Si衬底，当p-Si衬底的电阻率为10～20Ω.cm时，其气敏性能最强；该异质结在+4.0 V的偏置电压下，对0.024 g/L酒精气体的灵敏度为39.7%。

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