作者：郑志霞,冯勇建 单位：厦门大学 出版：《厦门大学学报(自然科学版)》2012年第01期 页数：4页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFXDZK2012010120 DOC编号：DOCXDZK2012010129 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
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    • 微机电系统中的悬空薄膜的制备技术是微结构制备的关键技术之一.研究了周边固支方形薄膜的机械灵敏度及通过浓硼扩散自停止腐蚀法制备高灵敏度悬空导电薄膜.实验结果表明，当扩散温度为1 175℃，扩散时间为3h，去除硼硅玻璃后四甲基氢氧化铵(TMAH)腐蚀液中腐蚀7.5h，可得到厚度为3μm，边长为5mm，方块电阻为1.12Ω/sq，致密均匀的悬空导电薄膜.给出了详细的制备工艺；针对扩散过程中出现的硼硅玻璃等问题，给出了切实可行的解决办法。

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