作者：卢浩,程德福,王言章,吴树军 单位：中国微米纳米技术学会;东南大学 出版：《传感技术学报》2012年第09期 页数：4页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFCGJS2012090090 DOC编号：DOCCGJS2012090099 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
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    • 为更好研究时间差型磁通门的特性，对磁滞回线模型进行研究。针对反正切模型曲率固定导致磁导率与实际磁芯存在偏差的不足，提出基于动态磁导率的磁滞回线反正切模型。将模型相对偏差由原来的10%降低至3%以内。利用动态磁导率模型对时间差磁通门的输出响应进行研究，模型计算结果与仿真偏差小于5%。动态磁导率模型为磁芯研究提供了理论依据，同时其对磁导率的精确逼近可以使利用磁导率计算的磁传感器研究结果更加精确且符合实际。

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