《关于准一维ZnSe纳米结构的合成与应用》PDF+DOC
作者:王志,李方泽
单位:西安电子科技大学
出版:《电子科技》2012年第08期
页数:4页 (PDF与DOC格式可能不同)
PDF编号:PDFDZKK2012080230
DOC编号:DOCDZKK2012080239
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硒化锌是Ⅱ-Ⅵ族中重要的宽禁带半导体材料,其禁带宽度为2.7 eV,是理想的蓝光探测器材料。准一维ZnSe纳米结构的合成有多种,如纳米带、纳米线、纳米棒等。由于纳米材料与薄膜材料相比具有表面积大、量子效应等独特的物理及化学特性,使得基于纳米材料的纳米器件在过去的几年内被广泛的制备与研究。目前准一维ZnSe纳米材料已经制备出多种纳米器件,文中将对ZnSe纳米结构的合成以及应用作介绍。
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