《表面碳化的硅纳米孔柱阵列的H_2S室温电容传感特性》PDF+DOC
作者:王海燕,王伶俐,胡青飞,李新建
单位:中国微米纳米技术学会;东南大学
出版:《传感技术学报》2012年第01期
页数:5页 (PDF与DOC格式可能不同)
PDF编号:PDFCGJS2012010030
DOC编号:DOCCGJS2012010039
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通过将硅纳米孔柱阵列(Si-NPA)进行高温碳化处理,制备出一种SiC/Si-NPA复合纳米体系。对SiC/Si-NPA的表面形貌和结构表征揭示,生长于Si-NPA上的SiC薄膜由具有立方结构的SiC纳米颗粒组成,厚度为~200 nm。SiC/Si-NPA整体上保持了Si-NPA原有的柱状阵列结构特征。对浓度介于0~1 200×;10-6的H2S气体的室温传感性能测试表明,SiC/Si-NPA对H2S气体的电容响应灵敏度可高达790%,而其对400×;10-6浓度H2S气体的响应和恢复时间则分别为170 s和200 s,元件具有较好的测量重复性和稳定性。SiC/Si-NPA可能是一种室温条件下较为理想的H2S气体传感材料。
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